Thông tin này được gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc tiết lộ vào hôm 25/7 trong buổi kỷ niệm lô hàng chip 3nm đầu tiên được xuất xưởng. Công ty cho biết quy trình 3nm thế hệ đầu tiên của họ đã giảm tiêu thụ điện năng tới 45% và cải thiện hiệu suất 23% bằng công nghệ bóng bán dẫn gate-all-around (GAA). Đây là một công nghệ hiện đại hơn so với công nghệ bóng bán dẫn fin field-effect transistor technology (FinFET) dùng để sản xuất chip 5nm hiện tại.

Theo Samsung, các kỹ sư của hãng bắt đầu nghiên cứu về bóng bán dẫn GAA từ đầu những năm 2000 và tiếp tục thử nghiệm thiết kế từ năm 2017. Vào tháng trước, Samsung trở thành nhà sản xuất chip đầu tiên bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3nm.

Đối thủ hàng đầu của Samsung trong lĩnh vực kinh doanh chất bán dẫn, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), dự kiến ​​sẽ bắt đầu sản xuất chip 3nm vào khoảng quý 4 năm nay. Mặc dù TSMC vẫn sẽ sử dụng thiết kế FinFET nhưng công ty Đài Loan sẽ chuyển sang công nghệ bóng bán dẫn GAA khi chuyển sang quy trình sản xuất chip 2nm.

Ở thời điểm hiện tại Samsung vẫn chưa thể đánh chiếm thị phần của TSMC, trừ khi hãng chứng minh hiệu quả của quy trình 3nm mới đủ sức cạnh tranh trên thị trường. Đại diện Samsung cho biết chip 3nm ban đầu sẽ được trang bị cho các sản phẩm “hiệu suất cao, tiêu thụ điện năng thấp”, nhưng không phải cho thiết bị di động. Tuy nhiên, công ty có kế hoạch sớm áp dụng tiến trình 3 nm cho chip di động thời gian tới./.